파워 인테그레이션스, 차세대 고전압 시스템 위한 2200V GaN 기술 최초 공개

김형석 기자

작성일 2026-08-07 18:02

고전압 집적회로 분야 선도 기업인 파워 인테그레이션스(Power Integrations)가 업계 최초로 2200V 정격의 PowiGaN™ 질화갈륨(GaN) 기술을 공개했다고 7일 밝혔다. 이는 현재 상용화된 다른 GaN 기술의 전압 성능을 훨씬 뛰어넘는 수준이다.

이번 기술 개발은 AI 데이터 센터, 전기차, 태양광 발전 및 고전압직류송전(HVDC) 인프라 분야에서 더 높은 전력 밀도를 추구하며 고전압 버스 아키텍처를 채택하는 추세에 발맞춘 것으로, PowiGaN 기술을 해당 분야의 핵심 솔루션으로 자리매김하게 할 전망이다.

파워 인테그레이션스의 제니퍼 로이드(Jennifer Lloyd) 사장 겸 CEO는 "2200V PowiGaN 기술은 차세대 고전압 시스템에 상당한 전압 마진을 제공하는 동시에 전력 밀도를 극대화하는 데 필요한 높은 스위칭 주파수를 가능하게 한다"고 설명했다. 그는 이어 "차세대 AI 데이터 센터의 경우 1500V 분배 아키텍처를 지향하는 로드맵이 있으며, 미래의 전기차 배터리 및 보조 전력 시스템은 점점 더 높은 출력 전압(48V)에서 작동할 것"이라며 "이번 기술적 이정표는 GaN의 적용 범위를 전통적으로 탄화규소(SiC)가 담당해 온 전압 영역까지 확장하여 태양광, HVDC 및 첨단 산업 전력 변환과 같은 애플리케이션에 대해 경쟁력 있는 고주파 대안을 제공한다"고 덧붙였다.

GaN 전력 스위치는 높은 효율성과 스위칭 주파수로 인해 광범위한 전력 변환 애플리케이션에서 점차 실리콘 트랜지스터를 대체하고 있다. 그러나 데이터 센터, 전기차, 재생 에너지 및 HVDC 인프라 로드맵은 더 높은 전압과 더 큰 전력 밀도를 요구하고 있어 GaN 기술 역시 이에 발맞춰야 하는 상황이다. 기존 대안으로는 저주파 탄화규소(SiC) 또는 전력 밀도, 복잡성 및 신뢰성 측면에서 절충이 필요한 저전압 GaN 소자 배열 등이 있었다.

현재 1700V 정격의 PowiGaN IC는 이미 단일 스테이지 데이터 센터 보조 전력 애플리케이션에 설계 적용되고 있으며, 1250V PowiGaN은 800VDC 데이터 센터의 메인 전력 경로에서 스택형 솔루션에 대한 간소화된 대안을 제공한다. 이번 2200V PowiGaN 기술의 도입은 데이터 센터뿐만 아니라 전기차, 태양광 인버터 및 에너지 저장 시스템(BESS)의 전력 설계를 미래 지향적으로 만들면서 훨씬 더 높은 버스 아키텍처를 지원할 수 있게 한다.

로이 다거(Roy Dagher) 박사는 "AI 데이터 센터에서 800VDC 버스 아키텍처로의 전환이 전력 반도체 시장을 재편하고 있다"고 분석했다.

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